V20PWM45 Vishay Bán dẫn TMBS Rãnh MOS Bộ chỉnh lưu Schottky

Mô tả Sản phẩm

V20PWM45 Vishay Bán dẫn TMBS Rãnh MOS Barrier Schottk

V20PWM45 V20PWM45C-My Rectifier3 / I Vishay Semiconductor Mật độ dòng điện cao TMBS Rãnh MOS Rào cản Schottky Bộ chỉnh lưu DPAK Sản phẩm bán dẫn rời rạc

V20PWM45:Bộ chỉnh lưu bề mặt có mật độ dòng cao TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Cực thấp VF = 0,35 V tại IF = 5 A
V20PWM45CBộ chỉnh lưu bề mặt có mật độ dòng điện cao TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Cực thấp VF = 0,39 V tại IF = 5 A

CÁC ỨNG DỤNG
Để sử dụng trong bộ chuyển đổi DC / DC tần số cao điện áp thấp,
điốt tự do và các ứng dụng bảo vệ phân cực

TÍNH NĂNG, ĐẶC ĐIỂM
• Cấu hình rất thấp - chiều cao điển hình là 1,3 mm
• Công nghệ rãnh MOS Schottky
• Lý tưởng cho vị trí tự động
• Giảm điện áp chuyển tiếp thấp, tổn thất điện năng thấp
• Hoạt động hiệu quả cao
• Đáp ứng MSL cấp độ 1, mỗi J-STD-020,
LF tối đa cao nhất là 260 ° C
• Có sẵn AEC-Q101 đủ điều kiện
- Mã đặt hàng ô tô: cơ sở P / NHM3
• Phân loại vật liệu


Sự mô tả
HEXFET® Power MOSFET này sử dụng các kỹ thuật xử lý mới nhất để đạt được điện trở cực thấp trên mỗi vùng silicon.
Các tính năng bổ sung của sản phẩm này là nhiệt độ hoạt động của mối nối 175 ° C, tốc độ chuyển đổi nhanh và xếp hạng tuyết lở lặp đi lặp lại được cải thiện.Những tính năng này kết hợp với nhau để làm cho thiết kế này trở thành một thiết bị cực kỳ hiệu quả và đáng tin cậy để sử dụng trong nhiều ứng dụng khác nhau.

Đặc trưng :
Công nghệ quy trình tiên tiến Điện trở cực thấp 175 ° C Nhiệt độ hoạt động Chuyển đổi nhanh Tuyết lở lặp đi lặp lại Được phép lên đến Tjmax D-Pak IRLR3915PbF I-Pak IRLU3915PbF Lea

Thông số kỹ thuật sản phẩm